쑤쑤_CS 기록장

노광 기술 Photo-Lithography 몇 천억 개의 트랜지스터를 한꺼번에 구성하기 위해 빛과 마스크를 사용하여 일괄적으로 회로를 형성하는 방식 마스크 - 렌즈 - 감광액. 산화액. 웨이퍼 광원의 종류에는 빛의 파장에 따라 불화크립톤, 불화아르곤, 액침 불화아르곤 등이 있다. 감광액 Photo Resist 회로를 형성하기 전에 웨이퍼에 얇게 코팅하는 액체 물질 감광액이 빛에 노출되면 변하는 화학적 성질을 이용하여 웨이퍼 위에 원하는 감광액 패턴만 남길 수 있다. 감광액은 빛에 노출된 부분이 제거되느냐, 노출되지 않는 부분이 제거되느냐에 따라 양성 positive와 음성 negative PR로 분류된다. 액침 불화아르곤 Immersion ArF 노광기술 193nm 빛 파장을 갖는 불화아르곤 기술에 노광..

포토 리소그래피(Photo Lithography) 공정 : 반도체 원 재료인 실리콘 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 과정 - 노광 exposure : 포토 공정 중 핵심 세부 공정 1. 설계 패턴이 새겨진 금속 마스크 mask 원판에 빛을 쪼인다 2. 마스크를 통과한 빛은 웨이퍼 위로 도포된 감광액(PR:photoresist)에 닿는다 3. 화학 반응이 일어나면 빛이 닿은 곳, 닿지 않는 곳을 선택적으로 제거하는 과정을 거친다 4. 이렇게 패턴이 만들어진다. - 금속 마스크는 회로 패턴을 고스란히 담은 필름에 비유할 수 있다. 회로 정보를 담고 있는 원본 역할을 한다. 최종 반도체 완성품이 동작할 수 있도록 한다. - 7나노 로직에 극자외선(EUV) 노광 공정이 도입되면서 마스크 분야에선 애로 사항이 많은..