EUV 노광기술

노광 기술 Photo-Lithography

• 몇 천억 개의 트랜지스터를 한꺼번에 구성하기 위해
• 빛과 마스크를 사용하여
• 일괄적으로 회로를 형성하는 방식
  
  
• 마스크 - 렌즈 - 감광액. 산화액. 웨이퍼
  
  
• 광원의 종류에는 빛의 파장에 따라 불화크립톤, 불화아르곤, 액침 불화아르곤 등이 있다.

 

감광액 Photo Resist

• 회로를 형성하기 전에 웨이퍼에 얇게 코팅하는 액체 물질
• 감광액이 빛에 노출되면 변하는 화학적 성질을 이용하여
• 웨이퍼 위에 원하는 감광액 패턴만 남길 수 있다.
  
  
• 감광액은 빛에 노출된 부분이 제거되느냐, 노출되지 않는 부분이 제거되느냐에 따라 
  양성 positive와 음성 negative PR로 분류된다.

 

액침 불화아르곤 Immersion ArF 노광기술

• 193nm 빛 파장을 갖는 불화아르곤 기술에
• 노광기와 웨이퍼 사이에 물을 넣어
• 빛 굴절률이 큰 액상 매체를 이용해 해상력을 높인 액침 기법을 더해
• 회로의 패턴을 미세하게 하는 방식
  
  
• 다만 액침 불화아르곤 노관기술로 형성할 수 있는 물리적 선폭 한계치는 38nm이다.

극자외선 Ectreme Ultra Violet 노광기술

• 액침 불화아르곤 방식보다 파장 길이가 1/14 미만으로 더욱 세밀한 회로 패터닝이 가능하며
• 현재 쓰이는 멀티패터닝에 비해 제조시간을 단축시킬 수 있다.
  
  
• 다만 기체를 포함함 모든 물질에 흡수되는 독특한 특성이 있어
• 진공 상태에서 노광이 이루어지고 빛을 투과하는 것이 아니라
• 여러 개의 박막 거울로 빛을 반사시켜야 하는 등 
• 기술적 난이도가 높다.

 

참고

news.skhynix.co.kr/1906?category=1067703

 

 

 

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