반도체 공정 용어 정리

 

• Lot

• : Wafer 25장을 논리적으로 Lot이라 한다.

 

• FAB

• : fabrication. 공장

 

• Clen Room

• : 반도체 FAB 내부. 청정도를 유지해준다. Clean Room이 넒으면 유지비용이 많이 든다.

 

• Area

• : 작업 영역. 반도체는 크게 4-5개의 Area로 구분 된다.

  • Photo Area : photolothography area 포토 공정

  • Diff  Area : diffusion area 확산 공정

  • Etch Area : etch area 식각 공정

  • CVD : chemical vapor deposition 화합물증착 공정

 

• Bay

• : 움푹 들어간 모양을 뜻하는 만.

  • Area 보다 작은 작업 영역이다.

 

• Service Area

• : Bay의 반대 개념. Celan Room을 유지하는데 비용이 많이 들어서 장비는 앞면만 Clean Room이 있고 정비를 위한 부분은 Clean Room 밖에 있는데 이 부분을 의미한다.

  • 즉, 장비 유지보수를 위한 지역이다.

 

• Smock Room

• : Smook은 방지복을 말한다. Smock Room은 방진복을 입는 장소이다.

 

• Air Shower

• : 방진복을 입고 방진 마스크와 방진 장갑을 착용하고 먼지를 털어내기 위해 바람이 나오는 터널을 지나서 FAB에 들어간다.

 

• 작업자

• : Operator. FAB 내에서 작업하는 사람이다.

 

• 엔지니어

• : 사무실에 근무하며 수시로 FAB에 들어가서 장비를 고치거나 조정하는 사람이다.

 

• Cassette, FOUP

• : Wafer 25장을 담은 캐리어. 

 

• Lot No

• : Wafer가 FAB에 투입 되면서 붙여진 전산관리를 위한 유일한 ID

 

• Lot Creation

• : Cassette에 Wafer를 담아 FAB에 투입하고 Lot No를 부여하는 Transaction

 

• Operation

• : 공정. 하나의 작업 단위를 말한다. 반도체 하나를 만들기 위해서는 수천개의 공정을 거쳐야 한다.

 

• WIP 

• : Work In Process. 재공 재고. 현재 가공 중에 있는 재고

 

• Move-In

• : 공정의 작업을 시작하는 Transaction

 

• Move-Out

• : 공정의 작업을 종료하는 Transaction

 

• Split

• : 어떤 공정을 진행하면서 다양한 원인에 의해 Lot을 분리하는 Transaction 및 작업

 

• Merge

• : Split의 반대 개념. 합치는 Transaction 및 작업

 

• Hold

• : Lot을 여러가지 이유에 의해 공정 진행을 멈추게 하는 Transaction

 

• Release

• : Hold의 반대 개념

 

• Rework

• : 어느 한 공정이나 연속한 몇개의 공정을 작업했던 것을 공정조건을 바꿔서 재 작업

 

• Reject

• : Wafer가 가공 중에 불량이 발생하면 Loss 처리하는 Transaction

 

• Terminate

• : Lot Creation의 반대. Lot이 FAB에서 모든 가공을 마치고 끝나는 Transaction

 

• Cycle Time

• : 하나의 공정을 진행하는데 걸리는 시간

 

• TAT

• : Turn Around Time. Cycle Time의 총합.

  • 제품을 만들기 위한 원자재가 투입된 시점부터 완제품으로 FAB을 나가는 순간까지의 기간

 

• 조업시간

• : 생상한 수 있는 총 시간

 

• 유효가동시간

• : 물건을 가공하는데 사용한 시간

 

• 무효가동시간

• : 장비는 살아 있지만 생산에 활용하지 않은 시간

 

• 비가동시간

• : 장비가 Down된 시간 혹은 PM시간 등 장비를 생산에 사용할 수 없는 시간

 

• 가동율

• : 장비의 총 가동시간. 총 조업시간

 

• Recipe

• : 장비가 Wafer를 가공해야 할 공정 진행 조건. 

  • ex) 온도, 전압, 가공시간 등등

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• 집정공정 상의 마스크 (Mask)
• : 패턴이 그려진 필름형 유리판
  • 회로구조 각 층별로 원하는 회로 패턴이 그려져있음
  • 마스크의 기하학적 패턴이 주로 광학적 작용에 의해 웨이퍼 기판에 옮겨짐

 

• 마스크 구분 용어
  • 패턴 노광(exposure) 전후
    • 전 - 블랭크 마스크 (blank mask) : 패턴이 그려지기 전의 마스크 재료
    • 후 - 포토 마스크 (photo mask) : 패턴이 그려진 회로 원판 마스크
  • 재사용성 여부
    • 경질 마스크
      • : 사용하고 난 뒤에도 세척 후 재사용 (hard mask)
        • 수십년 간 사용된다.
        • 석영, 유리 기판 표면에 크롬, 산화철 등으로 패턴을 형성시킨 것
        • 보통 크롬 박막 층으로 덮여진 용율 실리카 (Fused-silica) 유리판
          • 크롬 (Cr) : 노광 파장에 고도로 불투명
          • 용융 실리카 : 고도로 투명함
    • 에멀션 마스크
      • : 정해진 노광 회수 만 사용하고 버려짐 (soft mask)
        • 에멀션(emulsion)은  화학 물질에 잘 녹지 않는 흑색 필름 물질을 말한다.

 

• 레티클(Reticle)
• : 여러 번 반복적으로 위치를 바꿀 수 있도록 만든 마스크
  • 통상적으로 살계 도면의 5배 정도 크기로 패턴이 그려진 유리판이다. 레티클을 4:1, 5:1, 10:1 의 비율로 축소하여 웨이퍼에 투영시키게 된다.
  • 최근에는 '마스크'와 '레티클'을 용어 구분없이 혼용한다.

 

• 마스크 제조 공정

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출처

codenbike.tistory.com/155

반도체 공정 용어 몇가지 정리

www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=5341